IBM祭出黑科技 新存儲技術(shù)終結設備卡頓

2016-05-19 10:20 來(lái)源:電子信息網(wǎng)綜合 作者:鈴鐺

電腦運行遲緩、手機打開(kāi)應用卡頓,相信這兩種情況都是大家在日常生活中經(jīng)常遇到的。系統反應遲緩的原因非常多,其中占比最多的就是內存消耗過(guò)大造成的卡頓。不過(guò)這個(gè)讓人生厭的問(wèn)題在未來(lái)或許能夠被順利解決,近日IBM宣布在內存處理技術(shù)上獲得了重大突破,這項突破將幫助電子設備提高運行速度。

根據報道,IBM當地時(shí)間周二宣布了其在“相變化內存”技術(shù)上取得的重大進(jìn)步,而這一技術(shù)進(jìn)步則將幫助人們突破現有電子設備運行速度的瓶頸。

事實(shí)上,“相變化內存”多年來(lái)一直處于研發(fā)階段,但IBM認為這項技術(shù)的成本已降至了可被消費者電子設備接受的范圍內。同時(shí),這一技術(shù)對于諸如Facebook這些需要迅速訪(fǎng)問(wèn)大量信息的企業(yè)也會(huì )帶來(lái)巨大幫助。

據悉,IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯在當時(shí)間周二的巴黎存儲技術(shù)大會(huì )上首次公布了公司取得的這一成績(jì),而他則相信“相變化內存”會(huì )在2017年正式投入商用。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),“相變化內存”需要對芯片內特殊微型玻璃材料進(jìn)行電加熱,而這些材料中每個(gè)單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數據大小。比如,在逐步降溫的過(guò)程中,材料原子將會(huì )呈晶格式排列。而在迅速降溫時(shí),材料原子的排列將雜亂無(wú)章。不過(guò),IBM已經(jīng)對這項技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)以確保其能夠存儲更多的數據位。而早在2011年,IBM就成功實(shí)現了在單個(gè)單位中保存兩位數據。

在本周巴黎存儲技術(shù)大會(huì )上,珀奇迪斯宣布“相變化內存”單位已可以保存三位數據。而在一塊芯片中保存更多的數據就意味著(zhù)這一技術(shù)成本的下降,因此其相較于傳統存儲技術(shù)也更具競爭優(yōu)勢。

大多數人都將計算機、電子設備在近年來(lái)取得的逐步進(jìn)步認作是理所應當的事情。但事實(shí)上,無(wú)論是筆記本變得更薄還是網(wǎng)絡(luò )速度變得更快的背后都凝聚了無(wú)數人的辛勤勞動(dòng)和付出。而且,將一項新技術(shù)正式投入商用也不是一件簡(jiǎn)單的事情。

目前,人們使用的手機和PC設備通常會(huì )同時(shí)使用兩種技術(shù)保存數據,它們分別是能耗較大的DRAM動(dòng)態(tài)存儲和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數據的閃存。不過(guò),“相變化內存”結合了DRAM和閃存的優(yōu)點(diǎn)。具體來(lái)說(shuō)就是,DRAM動(dòng)態(tài)存儲的存取速度是“相變化內存”的5到10倍,但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此,使用“相變化內存”技術(shù)的手機應用加載速度將比閃存更快。

按照目前的發(fā)展趨勢,IBM認為在未來(lái)的某一天相變化內存技術(shù)的成本終將低于目前傳統的DRAM。如果順利的話(huà),其成本甚至有可能降低到與閃存相當,不過(guò)這一過(guò)程將有可能較為緩慢且充滿(mǎn)艱辛。另一方面,目前很多廠(chǎng)商已經(jīng)在閃存的改進(jìn)方面取得了較為明顯的成績(jì)。蘋(píng)果公司的新一代平板電腦就是最好的例子。

IBM 相變化內存

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