大家聽(tīng)說(shuō)過(guò)類(lèi)比積體電路設計嗎，已逐漸進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在成功量產(chǎn)3D IC方案后，類(lèi)比晶片公司又開(kāi)始建設類(lèi)比3D IC生產(chǎn)線(xiàn)，透過(guò)矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類(lèi)比元件，以提升電源晶片、感測器、無(wú)線(xiàn)射頻(RF)等各類(lèi)比方案效能。
奧地利微電子認為3D IC技術(shù)將擴大類(lèi)比晶片市場(chǎng)商機，隨著(zhù)現今電子產(chǎn)品功能愈來(lái)愈多，設備制造商為確保產(chǎn)品功能可靠度，其內部的類(lèi)比晶片數量正快速增加，導致印刷電路板(PCB)空間愈來(lái)愈不夠用，且系統設計難度也與日俱增，因此類(lèi)比晶片制程技術(shù)勢必須有全新的突破，才能克服此一技術(shù)挑戰。
有別于數位邏輯晶片通常有標準型封裝技術(shù)，類(lèi)比晶片的封裝技術(shù)種類(lèi)既多且復雜，每一個(gè)元件甚至擁有屬于本身較有利的制程技術(shù)，因此進(jìn)行異質(zhì)整合的難度也較高，造成類(lèi)比晶片在3D IC領(lǐng)域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠(chǎng)與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術(shù)研發(fā)，讓此一技術(shù)愈來(lái)愈成熟，將引領(lǐng)類(lèi)比晶片邁向新的技術(shù)里程碑。
